Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 2 047,26
тг 1 023,63 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 047,26
тг 1 023,63 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 1 023,63 | тг 2 047,26 |
10 - 18 | тг 858,24 | тг 1 716,48 |
20 - 38 | тг 844,83 | тг 1 689,66 |
40 - 98 | тг 826,95 | тг 1 653,90 |
100+ | тг 733,08 | тг 1 466,16 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.