STMicroelectronics BDX53C NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 1 720,95
тг 344,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 720,95
тг 344,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 344,19 | тг 1 720,95 |
| 25 - 45 | тг 223,50 | тг 1 117,50 |
| 50 - 95 | тг 219,03 | тг 1 095,15 |
| 100 - 245 | тг 183,27 | тг 916,35 |
| 250+ | тг 183,27 | тг 916,35 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.