onsemi PZTA28 NPN Darlington Transistor, 800 mA 80 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 806-1340PБренд: onsemiПарт-номер производителя: PZTA28
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

500нА

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

6.5 x 3.56 x 1.6мм

Ширина

3.56мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PZTA28 NPN Darlington Transistor, 800 mA 80 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PZTA28 NPN Darlington Transistor, 800 mA 80 V HFE:10000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

500нА

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

6.5 x 3.56 x 1.6мм

Ширина

3.56мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.