ON Semiconductor NCS20072DR2G Операционный усилитель

Brand

Тип усилителя

Высокая скорость

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Тип источника питания

Двойной, одиночный

Количество каналов на ИС

2

Число контактов

8

Типичное одиночное напряжение питания

2,7 → 36 В

Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

3.2МГц

Типичное двойное напряжение питания

±1.35 → ±18V

Типичная скорость нарастания

2.8В/мкс

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Типичное усиление по напряжению

120 дБ

Выходной ток

70 мА

Напряжение смещения

±4мВ

Полный размах напряжений

Вывод полного размаха напряжений

Максимальное входное напряжение

±18 В (двойной), 36 В (одинарный)

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Диапазон входного напряжения

±1,35 → ±18 В, 2,7 → 36 В

Входной ток смещения

1000пА

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Минимальное входное напряжение

±1,35 В (двойной), 2,7 В (одинарный)

Типичная интенсивность шумов входного напряжения

30нВ/√Гц

Длина

5мм

Страна происхождения

Philippines