Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В, 6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
5
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В, 6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
5
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
