ON Semiconductor 2SD1816T-TL-H Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 5.5 x 2.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 5.5 x 2.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.