Nexperia PBSS305NZ,135 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5,1 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
110 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 698,60
тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 1 698,60
тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
| 100 - 180 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
| 200 - 380 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
| 400 - 980 | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
| 1000+ | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5,1 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
110 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.