Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

Код товара RS: 725-8464Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCV47,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 470,00

тг 89,40 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
Select packaging type

тг 4 470,00

тг 89,40 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
50 - 50тг 89,40тг 4 470,00
100 - 150тг 40,23тг 2 011,50
200 - 350тг 40,23тг 2 011,50
400 - 450тг 40,23тг 2 011,50
500+тг 40,23тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia