Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

Код товара RS: 351-921Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF750R17ME7DPB11BPSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

650 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-ECONOD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Страна происхождения

Austria

P.O.A.

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

P.O.A.

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

650 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-ECONOD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Страна происхождения

Austria