Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 892-2365PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR93AE6327HTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

90 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

6 ГГц

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

90 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

6 ГГц

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon