Техническая документация
Характеристики
Brand
Hamamatsu PhotonicsSpectrums Detected
Near Infrared Radiation
Длина волны пиковой чувствительности
800нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Страна происхождения
Japan
P.O.A.
Hamamatsu, S12086 Near Infrared Radiation Si Photodiode, Through Hole TO-18
1
P.O.A.
Hamamatsu, S12086 Near Infrared Radiation Si Photodiode, Through Hole TO-18
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
Hamamatsu PhotonicsSpectrums Detected
Near Infrared Radiation
Длина волны пиковой чувствительности
800нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Страна происхождения
Japan