Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
12A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
710мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
250A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 637,30
тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 637,30
тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 263,73 | тг 2 637,30 |
50 - 490 | тг 263,73 | тг 2 637,30 |
500 - 2490 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
2500 - 4990 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
5000+ | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
12A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
710мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
250A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.