Diodes Inc BC847C-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 738-4904Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: BC847C-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 576,00

тг 17,88 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Diodes Inc BC847C-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 3 576,00

тг 17,88 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Diodes Inc BC847C-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
200 - 800тг 17,88тг 3 576,00
1000 - 1800тг 17,88тг 3 576,00
2000 - 4800тг 13,41тг 2 682,00
5000 - 9800тг 13,41тг 2 682,00
10000+тг 13,41тг 2 682,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc