Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
-7 В
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
-7 В
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.