STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247

Код товара RS: 206-6063Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW75H65DFB2-4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

4

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

4