STMicroelectronics BDX54C PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 714-2690Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BDX54C
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 832,70

тг 183,27 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BDX54C PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 1 832,70

тг 183,27 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BDX54C PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 183,27тг 1 832,70
20 - 40тг 178,80тг 1 788,00
50 - 90тг 174,33тг 1 743,30
100 - 190тг 116,22тг 1 162,20
200+тг 116,22тг 1 162,20

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.