Semikron SKM200GB126D Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
260 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация
Двойной полумост
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 92 761,44
тг 92 761,44 Each (ex VAT)
1
тг 92 761,44
тг 92 761,44 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 92 761,44 |
| 2 - 4 | тг 81 765,24 |
| 5 - 9 | тг 74 488,08 |
| 10 - 19 | тг 69 977,85 |
| 20+ | тг 65 364,81 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
260 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Конфигурация
Двойной полумост
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.