IR T-1 Phototransistor 20°,SFH313FA-2
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
14мкс
Типичное время нарастания
14мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
12500мкА
Максимальный темновой ток
200нА
Угол половинной чувствительности
20 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
T-1 3/4
Размеры
5.9 x 5.9 x 9мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
740нм
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Длина
5.9мм
Ширина
5.9мм
Высота
9мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
14мкс
Типичное время нарастания
14мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
12500мкА
Максимальный темновой ток
200нА
Угол половинной чувствительности
20 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
T-1 3/4
Размеры
5.9 x 5.9 x 9мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
740нм
Максимальная определяемая длина волны
1080нм
Длина
5.9мм
Ширина
5.9мм
Высота
9мм