Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
500нА
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.5 x 3.56 x 1.6мм
Ширина
3.56мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
тг 2 905,50
тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 2 905,50
тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
250 - 450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
500 - 2450 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
2500 - 4950 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
5000+ | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
500нА
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.5 x 3.56 x 1.6мм
Ширина
3.56мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.