onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 807-6660Бренд: onsemiПарт-номер производителя: HGT1S10N120BNST
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

298 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 11.33 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 1 408,05 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 816,10
4тг 5 632,20
6тг 8 448,30
8тг 11 264,40
10тг 11 532,60
12тг 13 839,12
14тг 16 145,64
16тг 18 452,16
18тг 20 758,68
20тг 22 618,20
22тг 24 880,02
24тг 27 141,84
26тг 29 403,66
28тг 31 665,48
30тг 33 927,30

тг 2 816,10

тг 1 408,05 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 816,10
4тг 5 632,20
6тг 8 448,30
8тг 11 264,40
10тг 11 532,60
12тг 13 839,12
14тг 16 145,64
16тг 18 452,16
18тг 20 758,68
20тг 22 618,20
22тг 24 880,02
24тг 27 141,84
26тг 29 403,66
28тг 31 665,48
30тг 33 927,30

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 408,05тг 2 816,10
10 - 18тг 1 153,26тг 2 306,52
20 - 98тг 1 130,91тг 2 261,82
100 - 198тг 925,29тг 1 850,58
200+тг 916,35тг 1 832,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

298 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 11.33 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.