Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

Код товара RS: 792-0914Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BST62,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-50нА

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Ширина

2.6мм

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Длина

4.6мм

Высота

1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 173,70

тг 317,37 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Select packaging type

тг 3 173,70

тг 317,37 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
10 - 90тг 317,37тг 3 173,70
100 - 240тг 263,73тг 2 637,30
250 - 490тг 223,50тг 2 235,00
500 - 990тг 196,68тг 1 966,80
1000+тг 156,45тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-50нА

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Ширина

2.6мм

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Длина

4.6мм

Высота

1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia