Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.2 kA 1200 V, 10-Pin PRIME2
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
1.2 kA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
PRIME2
Конфигурация
Двойной
Тип канала
N
Число контактов
10
Конфигурация транзистора
Двойной
P.O.A.
Each (In a Tray of 3) (ex VAT)
3
P.O.A.
Each (In a Tray of 3) (ex VAT)
3
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
1.2 kA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Количество транзисторов
2
Тип корпуса
PRIME2
Конфигурация
Двойной
Тип канала
N
Число контактов
10
Конфигурация транзистора
Двойной