Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
PW Mini
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
PW Mini
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре