Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
230 В
Тип корпуса
TO-3PL
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-230 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.5 x 5.2 x 26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
230 В
Тип корпуса
TO-3PL
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-230 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.5 x 5.2 x 26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре