Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
PDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Длина
19.3мм
Размеры
19.3 x 6.35 x 4.57мм
Ширина
6.35мм
Высота
4.57мм
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.
Darlington Transistor Drivers
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
PDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Длина
19.3мм
Размеры
19.3 x 6.35 x 4.57мм
Ширина
6.35мм
Высота
4.57мм
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.