Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип усилителя
JFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Двойной, одиночный
Количество каналов на ИС
1
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
30 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
210МГц
Типичное двойное напряжение питания
±15V
Типичная скорость нарастания
1000В/мкс
Максимальная рабочая частота
5 МГц
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Полный размах напряжений
Нет
Типичное усиление по напряжению
80 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
7нВ/√Гц
Длина
5мм
Высота
1.55мм
Ширина
6.2мм
Размеры
5 x 6.2 x 1.55мм
тг 4 242,03
тг 4 242,03 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 4 242,03
тг 4 242,03 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 4 242,03 |
10 - 49 | тг 3 812,91 |
50 - 99 | тг 3 473,19 |
100 - 499 | тг 3 137,94 |
500+ | тг 2 673,06 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип усилителя
JFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Двойной, одиночный
Количество каналов на ИС
1
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
30 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
210МГц
Типичное двойное напряжение питания
±15V
Типичная скорость нарастания
1000В/мкс
Максимальная рабочая частота
5 МГц
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Полный размах напряжений
Нет
Типичное усиление по напряжению
80 дБ
Типичная интенсивность шумов входного напряжения
7нВ/√Гц
Длина
5мм
Высота
1.55мм
Ширина
6.2мм
Размеры
5 x 6.2 x 1.55мм