STMicroelectronics STGYA50M120DF3 Single IGBT, 100 A 1200 V Max247

Код товара RS: 248-4895Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGYA50M120DF3
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

535 Вт

Количество транзисторов

1

Конфигурация

Одиночный

Тип корпуса

Max247

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGYA50M120DF3 Single IGBT, 100 A 1200 V Max247

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGYA50M120DF3 Single IGBT, 100 A 1200 V Max247

Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Максимальное рассеяние мощности

535 Вт

Количество транзисторов

1

Конфигурация

Одиночный

Тип корпуса

Max247