STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 206-7212PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWA75H65DFB2
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный