STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Код товара RS: 204-9868Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB30H65DFB2
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Число контактов

3

Страна происхождения

China

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Число контактов

3

Страна происхождения

China