Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре