Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK STD7NK40ZT4

Код товара RS: 920-6585Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD7NK40ZT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK STD7NK40ZT4

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK STD7NK40ZT4
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics