STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB80NF10T4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 969,99 | тг 1 939,98 |
| 10 - 18 | тг 813,54 | тг 1 627,08 |
| 20 - 48 | тг 795,66 | тг 1 591,32 |
| 50 - 98 | тг 777,78 | тг 1 555,56 |
| 100+ | тг 688,38 | тг 1 376,76 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.