STMicroelectronics BUT30V NPN Transistor, 100 A, 125 V, 4-Pin ISOTOP
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
125 В
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Монтаж на панель
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.1 x 38.2 x 25.5мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
125 В
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Монтаж на панель
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.1 x 38.2 x 25.5мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.