Техническая документация
Характеристики
Максимальная скорость передачи данных
1Мбит/с
Количество каналов
4
Тип корпуса
SOIC
Максимальное прямое напряжение
5.5V
Максимальный ток на входе
11,6 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Время нарастания
4нс
Количество контактов
16
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
+125°C
Длина
10.3мм
Глубина
2.65мм
Ширина
7.5мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Si860x Series I2C Digital Isolators
Digital Isolators, Silicon Laboratories
The Silicon Labs broad range of Digital Isolation products offers significant improvements over older isolation technologies such as opto-couplers. They demonstrate lower power consumption, greater reliability and higher performance, and are generally smaller in size and lower in cost. These CMOS-based devices exhibit stable operating characteristics over a wide temperature range and do not suffer from the lifespan limitations of opto-coupled devices.
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
10
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Максимальная скорость передачи данных
1Мбит/с
Количество каналов
4
Тип корпуса
SOIC
Максимальное прямое напряжение
5.5V
Максимальный ток на входе
11,6 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Время нарастания
4нс
Количество контактов
16
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
+125°C
Длина
10.3мм
Глубина
2.65мм
Ширина
7.5мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Si860x Series I2C Digital Isolators
Digital Isolators, Silicon Laboratories
The Silicon Labs broad range of Digital Isolation products offers significant improvements over older isolation technologies such as opto-couplers. They demonstrate lower power consumption, greater reliability and higher performance, and are generally smaller in size and lower in cost. These CMOS-based devices exhibit stable operating characteristics over a wide temperature range and do not suffer from the lifespan limitations of opto-coupled devices.