Renesas Electronics HFA3096BZ Pent NPN/PNP Transistor, 65 mA, 8 V, 16-Pin SOIC

Код товара RS: 235-5230PБренд: Renesas ElectronicsПарт-номер производителя: HFA3096BZ
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

65 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

8 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

16

Количество элементов на ИС

5

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Renesas Electronics HFA3096BZ Pent NPN/PNP Transistor, 65 mA, 8 V, 16-Pin SOIC
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Renesas Electronics HFA3096BZ Pent NPN/PNP Transistor, 65 mA, 8 V, 16-Pin SOIC
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

65 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

8 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

16

Количество элементов на ИС

5