Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.