Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий катод
Максимальное напряжение фиксации
38V
Минимальное пробивное напряжение
25.65V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Высота
0.94мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий катод
Максимальное напряжение фиксации
38V
Минимальное пробивное напряжение
25.65V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Высота
0.94мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм