Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В, 6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
5
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
тг 3 911,25
тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 911,25
тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 156,45 | тг 3 911,25 |
125 - 600 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
625 - 1225 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
1250 - 1850 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
1875+ | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В, 6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
5
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device