onsemi CPH5524-TL-E Dual NPN/PNP Transistor, 3 A, 50 V, 5-Pin CPH

Код товара RS: 800-9995Бренд: onsemiПарт-номер производителя: CPH5524-TL-E
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

CPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В, 6 В

Максимальная рабочая частота

390 МГц

Число контактов

5

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Информация о товаре

Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor

Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 911,25

тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi CPH5524-TL-E Dual NPN/PNP Transistor, 3 A, 50 V, 5-Pin CPH
Select packaging type

тг 3 911,25

тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi CPH5524-TL-E Dual NPN/PNP Transistor, 3 A, 50 V, 5-Pin CPH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 156,45тг 3 911,25
125 - 600тг 98,34тг 2 458,50
625 - 1225тг 98,34тг 2 458,50
1250 - 1850тг 75,99тг 1 899,75
1875+тг 75,99тг 1 899,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

CPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В, 6 В

Максимальная рабочая частота

390 МГц

Число контактов

5

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Информация о товаре

Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor

Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device