Infineon IGW40T120FKSA1 IGBT

Код товара RS: 754-5392Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IGW40T120FKSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

270 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.13 x 21.1 x 5.21мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 2 816,10 Each (ex VAT)

Infineon IGW40T120FKSA1 IGBT
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 816,10
2тг 5 632,20
3тг 8 448,30
4тг 11 264,40
5тг 14 080,50
6тг 16 896,60
7тг 19 712,70
8тг 22 528,80
9тг 25 344,90
10тг 28 161,00
11тг 30 977,10
12тг 33 793,20
13тг 36 609,30
14тг 39 425,40
15тг 42 241,50

тг 2 816,10

тг 2 816,10 Each (ex VAT)

Infineon IGW40T120FKSA1 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 816,10
2тг 5 632,20
3тг 8 448,30
4тг 11 264,40
5тг 14 080,50
6тг 16 896,60
7тг 19 712,70
8тг 22 528,80
9тг 25 344,90
10тг 28 161,00
11тг 30 977,10
12тг 33 793,20
13тг 36 609,30
14тг 39 425,40
15тг 42 241,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 816,10
25 - 99тг 2 266,29
100 - 239тг 2 109,84
240 - 479тг 2 065,14
480+тг 1 868,46

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

270 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.13 x 21.1 x 5.21мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.