Infineon BFP520H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 10 V TSFP-4-1

Код товара RS: 259-1430Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP520H6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

10 В

Тип корпуса

TSFP-4-1

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Infineon BFP520H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 10 V TSFP-4-1

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Infineon BFP520H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 10 V TSFP-4-1

Информация о наличии не успела загрузиться

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

10 В

Тип корпуса

TSFP-4-1

Тип монтажа

Поверхностный монтаж