Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток
150mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
750mA
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 799,50
тг 75,99 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 3 799,50
тг 75,99 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
250 - 450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
500 - 1450 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
1500 - 2950 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
3000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток
150mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
750mA
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.