Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.1 x 2.9 x 1.5мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
1.1 x 2.9 x 1.5мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре