Toshiba 2SA1943-O(Q) PNP Transistor, -15 A, -230 V, 3-Pin TO-3PL

Код товара RS: 760-3117Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SA1943-O(Q)
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

230 В

Тип корпуса

TO-3PL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

55

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-230 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

30 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20.5 x 5.2 x 26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

PNP Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) Транзистор
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 640,49

тг 1 640,49 Each (ex VAT)

Toshiba 2SA1943-O(Q) PNP Transistor, -15 A, -230 V, 3-Pin TO-3PL
Select packaging type

тг 1 640,49

тг 1 640,49 Each (ex VAT)

Toshiba 2SA1943-O(Q) PNP Transistor, -15 A, -230 V, 3-Pin TO-3PL
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 640,49
25 - 99тг 1 466,16
100 - 249тг 1 202,43
250 - 499тг 1 086,21
500+тг 974,46
Вас может заинтересовать
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) Транзистор
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

230 В

Тип корпуса

TO-3PL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

55

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-230 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

30 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20.5 x 5.2 x 26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

PNP Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) Транзистор
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)