STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP55NF06L

Код товара RS: 920-8795Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP55NF06L
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

95 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP55NF06L

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP55NF06L
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

95 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics