Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
95 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
95 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.