STMicroelectronics STN851 Транзистор

Код товара RS: 168-6098Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN851
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.8 x 6.5 x 3.5мм

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STN851 Транзистор

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STN851 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.8 x 6.5 x 3.5мм

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.