STMicroelectronics STGW60V60DF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 11 599,65
тг 2 319,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 11 599,65
тг 2 319,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 2 319,93 | тг 11 599,65 |
| 50 - 145 | тг 1 801,41 | тг 9 007,05 |
| 150 - 295 | тг 1 470,63 | тг 7 353,15 |
| 300 - 595 | тг 1 251,60 | тг 6 258,00 |
| 600+ | тг 1 148,79 | тг 5 743,95 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.