STMicroelectronics MJE350 PNP Transistor, -500 mA, -300 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 486-4577Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE350
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MJE350 PNP Transistor, -500 mA, -300 V, 3-Pin SOT-32

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MJE350 PNP Transistor, -500 mA, -300 V, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 210,09тг 1 050,45
25 - 45тг 147,51тг 737,55
50 - 95тг 143,04тг 715,20
100 - 245тг 98,34тг 491,70
250+тг 93,87тг 469,35
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)