ON Semiconductor Транзистор

Код товара RS: 145-5643Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMPQ2222A
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

75 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

16

Количество элементов на ИС

4

Размеры

10 x 4 x 1.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Dual & Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor Транзистор

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

75 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

16

Количество элементов на ИС

4

Размеры

10 x 4 x 1.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Dual & Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.