ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

Код товара RS: 184-1011Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBZ6V8ALT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Общий анод

Максимальное напряжение фиксации

9.6V

Минимальное пробивное напряжение

6.46V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

24W

Максимальный пиковый импульсный ток

2.5A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

500нА

Рабочее напряжение

4.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Общий анод

Максимальное напряжение фиксации

9.6V

Минимальное пробивное напряжение

6.46V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

24W

Максимальный пиковый импульсный ток

2.5A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

500нА

Рабочее напряжение

4.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать