onsemi MJD44H11-1G NPN Transistor, 8 A, 80 V dc, 3 + Tab-Pin DPAK
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V dc
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.73 x 2.38 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V dc
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.73 x 2.38 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia