onsemi KSP42TA NPN Transistor, 500 mA, 300 V, 3-Pin TO-92

Код товара RS: 739-0505Бренд: onsemiПарт-номер производителя: KSP42TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 759,90

тг 75,99 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi KSP42TA NPN Transistor, 500 mA, 300 V, 3-Pin TO-92
Select packaging type

тг 759,90

тг 75,99 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi KSP42TA NPN Transistor, 500 mA, 300 V, 3-Pin TO-92
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 75,99тг 759,90
50 - 90тг 71,52тг 715,20
100 - 240тг 31,29тг 312,90
250 - 490тг 31,29тг 312,90
500+тг 26,82тг 268,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.